中國 話你知:電晶體載更多電流 保持較小體積 發佈於 4 個月 前 2024 年 6 月 13 日 By 明報 【明報專訊】「環繞式柵極」(gate-all-around,GAA)是新一代半導體製程技術,相對於目前主流的「鰭式場效應電晶體」(Fin Field-Effect Transistor,FinFET)更先進。GAA技術將多個納米線或納米片水平堆疊在一起,FinFET則需要將多個垂直「鰭片」彼此並排放置以增加電流。因此,GAA可通過降低供電電壓級、增加驅動電流能力以提升性能,從而突破FinFET的限制。簡言之,GAA技術讓電晶體得以承載更多電流,同時保持體積上相對較小。 (中美角力) 相關文章: Up Next 李強訪紐 籲經貿排除非經濟干擾 紐總理提地區安全關切 中方:不應成合作鴻溝 不要錯過 4美教師吉林遇襲 中方:無損人文交流 強調中國是最安全國家之一 美國務院白宮關注 繼續閱讀 贊助商 猜你喜歡